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トランジスタ ユニポーラとバイポーラ 速度

 トランジスタの勉強を始めた者ですが、多数キャリアデバイスであるユニポーラトランジスタは構造的にバイポーラトランジスタより高速との記載がある一方で、バイポーラRAMはMOSRAMより高速との記載もあります。MOSRAMはバイポーラデバイスなので矛盾しているように感じられ、Web上でいろいろ検索したのですが意味が判りません。私はどう勘違いしているのでしょうか。

投稿日時 - 2017-03-30 07:19:08

QNo.9311043

困ってます

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回答(2)

ANo.2

>MOSRAMはバイポーラデバイスなので矛盾している
MOS RAM はモノポーラなので矛盾している の書き間違えですね。

MOS RAMが遅いのは、低電力用として作られることが、ほとんど(すべて?)なので、遅いのです。
たっぷり電流を流すと早い←→少しの電流で動作させると遅い

投稿日時 - 2017-04-01 02:00:31

ANo.1

今の段階では、
スイッチング回路;ユニポーラトランジスタの方が高速
増幅回路;バイポラトランジスタの方が高速

と覚えておけば良いでしょう。



>MOSRAMはバイポーラデバイスなので…

いいえ。MOSRAMはユニポーラですよ。



>ユニポーラトランジスタは構造的にバイポーラトランジスタより高速との記載がある

バイポーラトランジスタには蓄積効果があり、オン状態からオフ状態に切り替わるのに蓄積時間
の分だけ余計に時間がかかってしまいます。
従って、オンとオフの切換えが遅い
⇒ユニポーラトランジスタよりスイッチング速度が遅い。

ということです。


一方、RAMはmV級の微小信号を論理回路のレベルまで増幅するまでの時間が支配的で、
増幅回路はスイッチング動作をしない上に、微小信号を増幅する能力(伝達コンダクタンスgm)
がユニポーラトランジスタより大きいので蓄積効果の弊害もなく高速に読み出せます。

投稿日時 - 2017-03-30 22:23:09

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